据了解，传统的单晶硅太阳能电池虽然具有较高的稳定性和光电转化效率，但随着能源和环境两方面问题的日益突出，其生产和应用受到挑战。一个重要原因是p-n结的制备须在高温条件下完成，其复杂的制备过程需要消耗较高的能量，且会造成一定程度的环境污染。

    郑直课题组利用部分化合物半导体可低温(室温)合成的特性，在半导体或导电基底表面低温原位制备了碘化亚铜、硒化银和溴化氧铋等化合物半导体薄膜，并将致密、均匀的片状或金字塔状的有序阵列p-n结薄膜制作成低成本太阳能电池器件。

    该类低温原位方法制备的p-n结薄膜能有效提高光生载流子的分离，并抑制电子空穴复合。其具有操作简单、反应快捷且重复性好，产品易成膜、能耗低、环境友好、可大面积制备等优势，同时克服了传统成膜过程中颗粒团聚、微观结构破坏、杂质引入、高温退火、机械稳定性差等问题。这为制造大面积、低成本及低能耗光电薄膜及器件提供了一种新的思路和可靠方法。